参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SPD50P03L G |
说明 | 功率MOSFET 6.5mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 2500 |
最小包 | 2500 |
现货 | 5290 [库存更新时间:2025-04-03] |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 6880pF @ 25V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
漏源极电压Vds | 30V |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 126nC @ 10V |
通道数量 | 1Channel |
连续漏极电流Id | 50A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.7mΩ |
栅极电压Vgs | 20V |
Qg-栅极电荷 | -126nC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 150W |
高度 | 2.3mm |
长度 | 6.5mm |
系列 | OptiMOSP |
FET类型 | P-Channel |
宽度 | 6.22mm |
正向跨导 - 最小值 | 47S |
下降时间 | 104ns |
上升时间 | 21.7ns |
典型关闭延迟时间 | 139ns |
典型接通延迟时间 | 14.8ns |